Photodetector based on electrochemically deposited ZnO and inkjet printed PEDOT:PSS heterojunction

Kurtev, Nikolay (Faculty of Electrical Engineering, Technical University of Sofia, Bulgaria) ; Tzanova, Slavka (Faculty of Electrical Engineering, Technical University of Sofia, Bulgaria) ; Schintke, Silvia (School of Management and Engineering Vaud, HES-SO // University of Applied Sciences Western Switzerland)

In this paper we present a new photo-sensible device based on ZnO/PEDOT:PSS heterojunction. The formation of ZnO layer was made by electrochemical deposition of Zn from zinc nitrate solution over a transparent ITO electrode on glass substrate. A precise thickness control of the Zn layer was performed by varying the current density during the deposition. A further open air thermal oxidation on hot plate was performed to convert the zinc to ZnO. In order to be structured the transparent conducting polymer PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) was inkjet printed over the obtained ZnO layer. The current-voltage characteristic of the heterojunction was measured for daylight and dark modes. A Schottky barrier height as well as the ideality factor and series resistance has extracted using the forward current-voltage characteristics for both cases by using modified method for Schottky diode analysis.

В тази статия е представен нов фоточувствителен прибор, базиран на хетеропреход ZnO/PEDOT:PSS. Формирането на слоя от ZnO е направено чрез електрохимично отлагане на цинк в разтвор на цинков нитрат върху прозрачен електрод индиево-калаен оксид върху стъклена подложка. С регулиране на плътността на тока по време на процеса е постигнат прецизен контрол върху дебелината на слоя. Превръщането на отложения цинк в цинков оксид е осъществено чрез термично окисление във въздушна среда. Структурирането на прозрачния проводящ полимер PEDOT:PSS (поли(3,4-етилендиокситиофен) полистирен сулфонат е осъществено чрез струйно принтиране върху получения слой от цинков оксид. Измерена е волт-амперната характеристика на хетеропрехода в два режима – на тъмно и на дневна светлина. Височината на Шотки бариерата, идеалзиращият фактор и последователното съпротивление на прехода са определени посредством модифициран метод за анализ на Шотки диоди, използвайки измерената волтамперна характеристика в двата режима.


Mots-clés:
Type d'article:
scientifique
Faculté:
Ingénierie et Architecture
Ecole:
HEIG-VD
Institut:
COMATEC - Institut de Conception, Matériaux, Emballage & Conditionnement
Date:
2015-08
Pagination:
5 p.
Publié dans:
Electrotechnica + Electronica (E+E)
Numérotation (vol. no.):
2015, vol. 50, no. 7-8, pp. 14-18
Ressource(s) externe(s):
Le document apparaît dans:



 Notice créée le 2020-05-12, modifiée le 2020-05-13

Fichiers:
Télécharger le document
PDF

Évaluer ce document:

Rate this document:
1
2
3
 
(Pas encore évalué)